Dünnschicht-Ätzmittel

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Die Produkte von Transene finden in der Halbleiter-Mikroelektronik breite Anwendung und bieten eine große Auswahl an Dünnschicht-Ätzmitteln, darunter Al, Al2O3, BOE, Cr, Cr-Si, Cr-SiO, Cu, GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, Ge, Au, Hf, HfO, In2O3, ITO, InP, Fe2O3, Polyimid, MgO, Mo, Nb, NbN, NbO, Ni-Cr, Ni, Ni-V, Pd, Pd, Ru, Si, SiC, SiO2, SiO, Si3N4, Ag, Acier inox, Ta, Ta3N5, Ta2O5, TaSi, Sn, SnO, Ti, TiN, Ti-W, W, SnO

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Lösungen für die Ätzung dünner Schichten

Schicht	Ätzlösung	Anschnittgeschwindigkeit	Empfohlenes Harz	Anwendung
Aluminium
Al	TYP A	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Negativ & Positiv	Halbleiter & Integrierte Schaltungen, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYP D	40 Å/sec @ 25°C // 125 Å/sec @ 40°C	Negativ & Positiv	Halbleiter & Integrierte Schaltungen, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYP F	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Negativ & Positiv	Halbleiter & Integrierte Schaltungen, GaAs & GaP, AlSi
Al2O3	TRANSETCH N	120 Å/min @ 180 °C	SiO2	Halbleiter
Al2O3	Tantal-Ätzmittel 111	20-30 Å/sec@20 °C		Saphir
BOE	Gepuffertes Oxid-Ätzen	Variabel	Negativ	Halbleiter & Integrierte Schaltkreise
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen, Chrommaske
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen, Chrommaske
Cr	1020AC	32 Å/sec @40	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen, Chrommaske
Cr-Si Cr-SiO	Chrom, Cermet TFE	1000 Å/min @ 50 °C	Negativ	Dünnschichtschaltungen
Kupfer
Cu	CE-100	1 mil/min @ 40 °C
Cu	CE-200	0,5 mil/min @ 40 °C	Positiv & Negativ	Dünnschichtschaltungen
Cu	APS-100	80 Å/sec @ 40 °C	Positiv & Negativ	Dünnschichtschaltungen
Cu	Kupfer ätzen 49-1	22 Å/sec @ 30 °C	Positiv & Negativ	Kompatibel Ni
Cu	Kupfer ätzen BTP	150 Å/sec @30 °C	Negativ	Kompatibel Ni
Gallium
GaAs	GA ETCH 100	100 Å/sec @ 40 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
GaAs	GA ETCH 200	20 Å/sec @ 5 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
GaAs	GA ETCH 300	22 Å/sec @ 25 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
GaAs	AB ETCH	Fehlerabgrenzung	Negativ	Tests von Halbleitern
GaN	Galliumnitrid	80 A/min	SiO2	LED
Ga2O3	Gallium-Oxid	10 Å/sec @ 25 °C	Négative	Mikro-elektronische Schaltungen
GaP	Gallium Phosphid	A Oberfläche (Ga): 115 Mikrometer/Stunde bei 80 °C B Oberfläche (P): 210 Mikrometer/Stunde bei 80 °C	Negativ	LED
Ge	Germanium	250 Å/sec @ 20 °C	Negativ	Halbleiter
OR
Au	TFA	28 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen
Au	TFAC	30 Å/sec @ 60 °C	Negativ	GaAs kompatibel
Au	GE-8148	50 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Kompatibel Ni
Au	GE-8110	15 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Kompatibel Ni
Au	GE-8111	15 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Kompatibel Ni
Hf, HfO	Hafnium, Hafnium-Oxid	45 Å/sec @ 25 °C, ALD HfO 7,5 Å/sec	Negativ	Utiliser Titanium Etch TFT
In2O3 ITO	Indium-Oxid Indium-Zinn-Oxid	15 Å/sec @ 25 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
InP	Indium Phosphid	30 Min. @ 25 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
Fe2O3	Eisenoxid ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Mikro-elektronische Schaltungen
Fe2O3	Eisenoxid ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Mikro-elektronische Schaltungen
Fe2O3	Eisenoxid ME-30	25 Å/sec @ 25 °C	Negativ & Positiv	Mikro-elektronische Schaltungen
Polyimid	Kapton Polyimid Ätzmittel	0,013 mil/min @ 40 °C, 0,07 mil/min @ 60 °C	Negativ	Polyimid/Kupferbeschichtete Laminate
MgO	Magnesiumoxid-Ätzmittel, MgOX12	40 Å/sec @ 30°C	Negativ & Positiv
Mo	Moly Ätzmittel TFM	55 Å/sec @ 30 °C, 85 Å/sec @ 60 °C	Negativ	Mikro-elektronische Schaltungen
Nb / NbN/ NbO	Niob, Niobiumnitrid, Niobiumoxid	50Å / sec @ 25 oC	Negativ	Mikroelektronik
Ni-Cr	Nichrom-Ätzmittel TFN	50 Å/sec @ 40 °C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen
Nickel und Legierungen
Ni	TFB	30 Å/sec @25 °C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen
Ni	TFG	50 Å/sec @ 40 °C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen
Ni	Typ I	3 mil/Std. @ 40 °C	Negativ & Positiv	Dünnschichtschaltungen
Ni-V	Nickel-Vanadium-Ätzen	30 Å/sec @ 20 °C	Negativ & Positiv	Micro-électronique
Pd	Palladium-Ätzmittel TFP	110 Å/sec @ 50 °C	Negativ & Positiv	Halbleiter & Dünnschichtschaltungen
Pd	Palladium-Ätzmittel EC			Elektrochromatische Gravur

Reagenzien für Halbleiter-Ätzmittel (RSE)

Schicht	Ätzlösung	Anschnittgeschwindigkeit	Empfohlenes Harz	Anwendung
Ru	RUTHENIUM ETCH	20 Å/sec @ 20 °C	Negativ & Positiv	Mikroelektronik

Ätzmittel für die Halbleiterindustrie

Schicht	Ätzlösung	Anschnittgeschwindigkeit	Empfohlenes Harz	Anwendung
Si	SILIZIUM-MESA-ÄTZUNG	Variabel	KMER	Halbleiter
Si	REAGENZ-HALBLEITERÄTZMITTEL (RSE)	Variabel	KMER	Halbleiter
Si	SILIZIUM LANGSAM ÄTZEN	Variabel	PKP Typ I	Halbleiter
SILIKON
Si	PSE 200	1 mil/3 min @ 100 °C		Halbleiter
Si	PSE 300	25 m/hr @ 100 °C		Halbleiter
Solarzellen
Si	SCE-200	1 Stunde @ 75-100 °C		Solarzellen
Si	SCE-300	5-10 min @ 118 °C		Solarzellen
Si	WRIGHT Ätzmittel	Fehlercharakterisierung	N/A	Tests von Halbleitern
Si	SIRTL Ätzmittel	Fehlercharakterisierung	N/A	Tests von Halbleitern
SiC	SILIZIUMKARBID	80 Å/min	Negativ	LED
SiO2	PUFFER HF VERBESSERT	800Å/min @ 25 °C, thermisch gewachsen	Negativ	Halbleiter & Integrierte Schaltkreise
SiO2	BD ETCHANT	Variabel	Negativ	PSG/BSG
SiO2	TIMETCH	90 Å/min @ 25 °C	Negativ	CVD
SiO2	SILOX VAPOX III	4000 Å/min @ 22 °C	Negativ	CVD, Kompatibles Al
SiO2	AIPAD Ätzen 639	5000 Å/min

Lösungen für die Ätzung dünner Schichten

Reagenzien für Halbleiter-Ätzmittel (RSE)

Ätzmittel für die Halbleiterindustrie

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